Diferença entre IGBT e MOSFET
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IGBT vs MOSFET
MOSFET (Transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal) e IGBT (Transistor bipolar de porta isolada) são dois tipos de transistores, e ambos pertencem à categoria acionada por porta. Ambos os dispositivos têm estruturas de aparência semelhante com diferentes tipos de camadas de semicondutores.
Transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET)
MOSFET é um tipo de transistor de efeito de campo (FET), composto por três terminais conhecidos como 'Gate', 'Source' e 'Drain'. Aqui, a corrente de dreno é controlada pela tensão do portão. Portanto, os MOSFETs são dispositivos controlados por tensão.
Os MOSFETs estão disponíveis em quatro tipos diferentes, como canal n ou canal p, no modo de esgotamento ou aprimoramento. O dreno e a fonte são feitos de semicondutor do tipo n para MOSFETs de n canais e da mesma forma para dispositivos de canal p. O portão é feito de metal e separado da fonte e dreno usando um óxido de metal. Esse isolamento causa baixo consumo de energia e é uma vantagem no MOSFET. Portanto, o MOSFET é usado na lógica digital do CMOS, onde os MOSFET de canal p e n são usados como blocos de construção para minimizar o consumo de energia.
Embora o conceito de MOSFET tenha sido proposto muito cedo (em 1925), ele foi praticamente implementado em 1959 nos laboratórios da Bell.
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
O IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor, que pode lidar com uma quantidade maior de energia e possui uma velocidade de comutação mais alta, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado nos anos 80.
O IGBT possui os recursos combinados do MOSFET e do transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por porta como MOSFET e possui características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, possui as vantagens de alta capacidade de manuseio de corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) podem suportar kilowatts de energia.
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Diferença entre IGBT e MOSFET 1. Embora o IGBT e o MOSFET sejam dispositivos controlados por tensão, o IGBT possui características de condução do tipo BJT. 2. Os terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o MOSFET é feito de porta, fonte e dreno.. 3. Os IGBTs são melhores no manuseio de energia que os MOSFETS 4. O IGBT possui junções PN e os MOSFETs não os possuem. 5. O IGBT possui uma queda de tensão direta mais baixa em comparação com o MOSFET 6. O MOSFET tem uma longa história em comparação com o IGBT
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