Diferença entre IGBT e GTO
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IGBT vs GTO
GTO (Tiristor de Desligamento de Porta) e IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) são dois tipos de dispositivos semicondutores com três terminais. Ambos são usados para controlar correntes e para fins de comutação. Ambos os dispositivos possuem um terminal de controle chamado 'gate', mas possuem princípios de operação diferentes.
GTO (Tiristor de desligamento de portão)
O GTO é composto por quatro camadas de semicondutores do tipo P e N, e a estrutura do dispositivo é um pouco diferente em comparação com um tiristor normal. Na análise, o GTO também é considerado como par de transistores acoplados (um PNP e outro na configuração NPN), o mesmo que para os tiristores normais. Três terminais do GTO são chamados 'ânodo', 'cátodo' e 'portão'.
Em operação, o tiristor atua conduzindo quando um pulso é fornecido ao portão. Possui três modos de operação conhecidos como 'modo de bloqueio reverso', 'modo de bloqueio direto' e 'modo de condução direto'. Depois que o gate é acionado com o pulso, o tiristor passa para o 'modo de condução direta' e continua conduzindo até que a corrente direta se torne menor que o limiar 'corrente de retenção'.
Além das características dos tiristores normais, o estado 'off' do GTO também é controlável por pulsos negativos. Nos tiristores normais, a função 'off' acontece automaticamente.
GTOs são dispositivos de energia e são usados principalmente em aplicações de corrente alternada.
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
O IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor que pode suportar uma quantidade maior de energia e possui uma velocidade de comutação mais alta, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado nos anos 80.
O IGBT possui os recursos combinados do MOSFET e do transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por porta como MOSFET e possui características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, possui as vantagens de alta capacidade de manuseio de corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) processam kilowatts de energia.
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Qual é a diferença entre IGBT e GTO? 1. Três terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o GTO possui terminais conhecidos como ânodo, cátodo e porta.. 2. O gate do GTO precisa apenas de um pulso para comutação, enquanto o IGBT precisa de um fornecimento contínuo de tensão do gate. 3. O IGBT é um tipo de transistor e o GTO é um tipo de tiristor, que pode ser considerado como um par de transistores fortemente acoplado em análise. 4. O IGBT possui apenas uma junção PN e o GTO possui três 5. Ambos os dispositivos são usados em aplicações de alta potência. 6. O GTO precisa de dispositivos externos para controlar os pulsos de desligamento e ativação, enquanto o IGBT não precisa.
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