Diferença entre MOSFET e BJT

MOSFET vs BJT

O transistor é um dispositivo semicondutor eletrônico que fornece um sinal de saída elétrica em grande parte alterado para pequenas alterações em pequenos sinais de entrada. Devido a essa qualidade, o dispositivo pode ser usado como amplificador ou comutador. O transistor foi lançado na década de 1950 e pode ser considerado uma das mais importantes invenções do século XX, considerando a contribuição para a TI. É um dispositivo em rápida evolução e muitos tipos de transistores foram introduzidos. O transistor de junção bipolar (BJT) é o primeiro tipo e o transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET) é outro tipo de transistor introduzido posteriormente.

Transistor de junção bipolar (BJT)

O BJT consiste em duas junções PN (uma junção feita pela conexão de um semicondutor do tipo p en semicondutor do tipo n). Essas duas junções são formadas usando três peças de semicondutores da ordem de P-N-P ou N-P-N. Portanto, dois tipos de BJTs conhecidos como PNP e NPN estão disponíveis.

Três eletrodos estão conectados a essas três partes semicondutoras e o condutor médio é chamado de 'base'. Outras duas junções são 'emissor' e 'coletor'.

No BJT, a corrente do emissor de coletor grande (Ic) é controlada pela corrente do emissor de base pequeno (IB) e essa propriedade é explorada para projetar amplificadores ou comutadores. Portanto, pode ser considerado como um dispositivo acionado por corrente. O BJT é usado principalmente em circuitos de amplificador.

Transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido de metal (MOSFET)

MOSFET é um tipo de transistor de efeito de campo (FET), composto por três terminais conhecidos como 'Gate', 'Source' e 'Drain'. Aqui, a corrente de dreno é controlada pela tensão do portão. Portanto, os MOSFETs são dispositivos controlados por tensão.

Os MOSFETs estão disponíveis em quatro tipos diferentes, como canal n ou canal p, no modo de esgotamento ou aprimoramento. O dreno e a fonte são feitos de semicondutor do tipo n para MOSFETs de n canais e da mesma forma para dispositivos de canal p. O portão é feito de metal e separado da fonte e dreno usando um óxido de metal. Esse isolamento causa baixo consumo de energia e é uma vantagem no MOSFET. Portanto, o MOSFET é usado na lógica digital do CMOS, onde os MOSFET de canal p e n são usados ​​como blocos de construção para minimizar o consumo de energia.

Embora o conceito de MOSFET tenha sido proposto muito cedo (em 1925), ele foi praticamente implementado em 1959 nos laboratórios da Bell.