IGBT vs Thyristor
O tiristor e o IGBT (transistor bipolar de porta isolada) são dois tipos de dispositivos semicondutores com três terminais e ambos são usados para controlar correntes. Ambos os dispositivos possuem um terminal de controle chamado 'gate', mas possuem princípios de operação diferentes.
Tiristor
O tiristor é feito de quatro camadas semicondutoras alternadas (na forma de P-N-P-N), portanto, consiste em três junções PN. Na análise, isso é considerado um par de transistores fortemente acoplados (um PNP e outro na configuração NPN). As camadas mais externas de semicondutores do tipo P e N são chamadas ânodo e cátodo, respectivamente. O eletrodo conectado à camada interna de semicondutores do tipo P é conhecido como 'portão'.
Em operação, o tiristor atua conduzindo quando um pulso é fornecido ao portão. Possui três modos de operação conhecidos como 'modo de bloqueio reverso', 'modo de bloqueio direto' e 'modo de condução direto'. Depois que o gate é acionado com o pulso, o tiristor passa para o 'modo de condução direta' e continua conduzindo até que a corrente direta se torne menor que o limiar 'corrente de retenção'.
Os tiristores são dispositivos de potência e, na maioria das vezes, são usados em aplicações em que altas correntes e tensões estão envolvidas. A aplicação de tiristor mais usada é controlar correntes alternadas.
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
O IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor, que pode lidar com uma quantidade maior de energia e possui uma velocidade de comutação mais alta, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado nos anos 80.
O IGBT possui os recursos combinados do MOSFET e do transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por porta como MOSFET e possui características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, possui as vantagens de alta capacidade de manuseio de corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) processam kilowatts de energia.
Em resumo: Diferença entre IGBT e tiristor 1. Três terminais do IGBT são conhecidos como emissor, coletor e porta, enquanto o tiristor possui terminais conhecidos como ânodo, cátodo e porta.. 2. O portão do tiristor precisa apenas de um pulso para mudar para o modo de condução, enquanto o IGBT precisa de um fornecimento contínuo de tensão do portão. 3. O IGBT é um tipo de transistor e o tiristor é considerado como par de transistores firmemente em análise. 4. O IGBT possui apenas uma junção PN e o tiristor possui três deles. 5. Ambos os dispositivos são usados em aplicações de alta potência.
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