Diferença entre BJT e IGBT

BJT vs IGBT

BJT (transistor de junção bipolar) e IGBT (transistor bipolar de porta isolada) são dois tipos de transistores usados ​​para controlar correntes. Ambos os dispositivos têm junções PN e diferentes na estrutura do dispositivo. Embora ambos sejam transistores, eles apresentam diferenças significativas nas características.

BJT (transistor de junção bipolar)

BJT é um tipo de transistor que consiste em duas junções PN (uma junção feita pela conexão de um semicondutor do tipo p en semicondutor do tipo n). Essas duas junções são formadas usando três peças de semicondutores da ordem de P-N-P ou N-P-N. Portanto, dois tipos de BJTs, conhecidos como PNP e NPN, estão disponíveis.

Três eletrodos estão conectados a essas três partes semicondutoras e o condutor médio é chamado de 'base'. Outras duas junções são 'emissor' e 'coletor'.

Em BJT, grande emissor coletor (I_c) a corrente é controlada pela corrente do emissor base pequeno (I_B) e essa propriedade é explorada para projetar amplificadores ou comutadores. Portanto, pode ser considerado como um dispositivo acionado por corrente. O BJT é usado principalmente em circuitos de amplificador.

IGBT (transistor bipolar de porta isolada)

O IGBT é um dispositivo semicondutor com três terminais conhecidos como 'Emissor', 'Coletor' e 'Portão'. É um tipo de transistor, que pode lidar com uma quantidade maior de energia e possui uma velocidade de comutação mais alta, tornando-o altamente eficiente. O IGBT foi introduzido no mercado nos anos 80.

O IGBT possui os recursos combinados do MOSFET e do transistor de junção bipolar (BJT). É acionado por porta como MOSFET e possui características de tensão de corrente como BJTs. Portanto, possui as vantagens de alta capacidade de manuseio de corrente e facilidade de controle. Os módulos IGBT (consistem em vários dispositivos) processam kilowatts de energia.