Diferença entre BJT e FET

BJT vs FET

O BJT (transistor de junção bipolar) e o FET (transistor de efeito de campo) são dois tipos de transistores. O transistor é um dispositivo semicondutor eletrônico que fornece um sinal de saída elétrica em grande parte alterado para pequenas alterações em pequenos sinais de entrada. Devido a essa qualidade, o dispositivo pode ser usado como amplificador ou comutador. O transistor foi lançado na década de 1950 e pode ser considerado uma das mais importantes invenções do século XX, considerando sua contribuição para o desenvolvimento de TI. Diferentes tipos de arquiteturas para transistor foram testados.

Transistor de junção bipolar (BJT)

O BJT consiste em duas junções PN (uma junção feita pela conexão de um semicondutor do tipo p en semicondutor do tipo n). Essas duas junções são formadas usando três peças de semicondutores da ordem de P-N-P ou N-P-N. Existem dois tipos de BJTs conhecidos como PNP e NPN disponíveis.

Três eletrodos estão conectados a essas três partes semicondutoras e o condutor médio é chamado de 'base'. Outras duas junções são 'emissor' e 'coletor'.

No BJT, a corrente do emissor de coletor grande (Ic) é controlada pela corrente do emissor de base pequeno (IB) e essa propriedade é explorada para projetar amplificadores ou comutadores. Lá, ele pode ser considerado como um dispositivo acionado por corrente. O BJT é usado principalmente em circuitos de amplificador.

Transistor de efeito de campo (FET)

O FET é composto por três terminais conhecidos como 'Gate', 'Source' e 'Drain'. Aqui a corrente de drenagem é controlada pela tensão do portão. Portanto, os FETs são dispositivos controlados por tensão.

Dependendo do tipo de semicondutor usado para fonte e dreno (no FET, ambos são feitos do mesmo tipo de semicondutor), um FET pode ser um dispositivo de canal N ou canal P. A fonte para drenar o fluxo de corrente é controlada ajustando a largura do canal, aplicando uma voltagem apropriada ao portão. Existem também duas maneiras de controlar a largura do canal, conhecida como esgotamento e aprimoramento. Portanto, os FETs estão disponíveis em quatro tipos diferentes, como canal N ou canal P, no modo de esgotamento ou aprimoramento.

Existem muitos tipos de FETs, como MOSFET (FET semicondutor de óxido de metal), HEMT (transistor de alta mobilidade de elétrons) e IGBT (transistor bipolar de porta isolada). O CNTFET (Nanotubo de Carbono FET), resultante do desenvolvimento da nanotecnologia, é o mais recente membro da família FET.